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          PSHI 1522
          发表于:2018-03-22 11:16 分享至:
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          双通道大功率IGBT 驱动核


          主要参数(Ta=25℃ )
          VS 供电电源电压+15 V
          P 隔离电源总功率6 W
          Visol 隔离电压(1 minute. AC) 5 kV
          VCES IGBT 集电极- 发射极电压1700 V
          IoutAV 每通道平均电流100 mA
          IoutPEAK 每通道峰值电流±15 A
          Qout/pulse 每脉冲输出电荷±10 μC
          VG(ON/OFF) 门极电压+15/-9 V
          dv/dt 电压变化率75 kV/μS
          td(I/O) 信号转换延时350 nS
          tmd 窄脉冲抑制100 nS
          td(err) 故障响应延时110 nS
          fSW Max. 最高频率100 kHz

          特点

          ●集成DC/DC 隔离电源
          ●纳米晶变压器隔离
          ●动态监测VCEsat 提供短路( 过流) ?;?/div>
          ●欠压眐pl外围怎么买;ぜ懊偶缪辜嗫?/div>
          ●故障“软关断”及动态尖峰抑制
          ●集成互锁及死区
          ● 0--100% 占空比
          ●表面爬电距离38mm

          应用

          桥式电路
          变频器
          逆变器
          感应加热
          EV
          APF
          SVG
          高频电源


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